李薰青年學(xué)者獎獲得者Shen J Dillon訪問金屬所
應(yīng)中國科學(xué)院金屬研究所邀請,2016年度李薰青年學(xué)者獎獲得者、美國伊利諾伊大學(xué)香檳分校博士Shen J Dillon于5月3日至8日訪問金屬所。
來訪期間,Shen J Dillon為金屬所科研人員和研究生作了題為Atomic Transport in Crystalline Alloys in Extreme Environments及In-situ Characterization of Reaction Mechanisms and Degradation Processes in Energy Conversion and Storage Systems的兩篇李薰獎報告。報告前,副所長張健代表金屬所為Shen J Dillon頒發(fā)了李薰青年學(xué)者獎獎牌。報告中,Shen J Dillon詳細(xì)介紹了金屬材料中劇烈塑性變形引起的自組裝納米結(jié)構(gòu)機制、晶界/界面結(jié)構(gòu)對點缺陷吸收效率的影響、原位環(huán)境透射電鏡技術(shù)在電化學(xué)合成反應(yīng)、鋰離子電池電極材料、輻照損傷蠕變、納米結(jié)構(gòu)多層膜力學(xué)性能分析等前沿領(lǐng)域的最新研究成果。
Shen J Dillon的研究工作集中于陶瓷材料偏析和晶界的原子結(jié)構(gòu)及其組織演變。著眼于揭示材料微觀層面的原子尺度過程和整體性質(zhì)。當(dāng)前工作涉及能源類納米材料的結(jié)構(gòu)表征和性能應(yīng)用,在原位透射電鏡表征工作方面取得了重要成就。發(fā)表SCI論文60余篇,引用數(shù)超過900次。承擔(dān)美國DOE、NSF和Naval Research Lab多項科研任務(wù),同時與科技企業(yè)(GE、Samsung、BP等)保持密切的合作關(guān)系,擁有多項美國專利。
Shen J Dillon作報告