5月30日至31日，第三屆電子元器件輻射效應(yīng)國際會議在重慶召開。會議由中國科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所、模擬集成電路國家重點實驗室、哈爾濱工業(yè)大學(xué)共同主辦。

　　會議設(shè)有電子元器件及材料輻射效應(yīng)和損傷機理、光電器件和電路輻射效應(yīng)、抗輻射加固方法和測試技術(shù)、空間系統(tǒng)新概念四個分會場，來自10個國家的180余位專家學(xué)者圍繞材料、器件、電路及電子系統(tǒng)的輻射效應(yīng)、測試方法、加固技術(shù)和評估方法進行了交流和討論。

　　會議對促進電子元器件輻射效應(yīng)領(lǐng)域?qū)＜覍W(xué)者的交流和國際合作有積極作用。